◆ 従来のポリイミドより低温で成膜できることにより、熱応力を小さくでき、エポキシ等と同様の使用が可能となり、加えて高生産効率、省力化が可能。
※WGv-2400シリーズ(GBLタイプ) ・・・成膜温度180～200℃
※WGv-2500シリーズ(NMPタイプ) ・・・成膜温度250℃
◆ 熱膨張係数2～20ppm/Kをグレード化（各基材の熱膨張係数にマッチングが可能）
◆ ワニスの室温保存が可能。

◆ 層間絶縁膜（半導体素子用、多層プリント配線基板用、パッケージ基板用）
◆ 半導体素子保護膜
◆ バッファーコート膜
◆ シリコン・ガラスインターポーザーの絶縁膜

表　WGv-2401,2501, 市販PI系ワニスの熱特性、膜物性
【低温成膜】 他社品 弊社製品
CTE約18mm品(Cu基板対応品)：成膜温度 他社品350℃ → 弊社製品180℃
CTE約 3mm品(Si 基板対応品)：成膜温度 他社品450℃ → 弊社製品250℃